TSMC, Samsung и Intel объединяют усилия для увеличения производства чипов с новыми фотомасками

Крупнейшие производители полупроводников TSMC, Samsung и Intel объявили о совместной инициативе, направленной на переход на увеличенные фотомаски для литографических технологий. Такое решение позволит значительно повысить производительность и снизить затраты на производство чипов.

Изначально TSMC не спешила осваивать высокоапертурное литографическое оборудование High-NA EUV из-за его высокой стоимости. Однако теперь компания планирует начать его использование, сотрудничая с Intel и Samsung, которые также заинтересованы в переходе на новый тип фотомасок. Как заявляет технический директор ASML, переход на фотомаски размером 300 мм способен увеличить пропускную способность сканеров на 40% и упростить процесс проектирования.

Samsung планирует начать массовое производство чипов с использованием оборудования High-NA EUV в 2028 году, а TSMC — в 2030 году. Intel уже активно использует это оборудование в серийном производстве своих процессоров Panther Lake. В то же время TSMC будет сочетать новое оборудование с традиционными фотомасками размером 150 мм до 2030 года, прежде чем начнет полное применение 300 мм фотомасок в 2033 году.

Данное сотрудничество между ведущими производителями может значительно изменить рынок полупроводников, позволив создать более совершенные и производительные чипы, что представляет собой важный шаг в развитии данной отрасли.