SK hynix ускоряет разработку 3D-DRAM для систем искусственного интеллекта

SK hynix объявила о значительном ускорении разработки своей технологии 3D-стекированной DRAM, которая предназначена для использования в системах искусственного интеллекта, включая мобильные устройства. В рамках этой инициативы компания начала набор инженеров, специализирующихся на данной технологии, через свой офис в Сан-Хосе, США. Известно, что SK hynix уже заключила соглашение с одним из клиентов для совместной разработки решений на основе новой технологии.

Новая DRAM будет интегрироваться непосредственно на логическом кристалле, что позволит улучшить производительность и снизить задержки передачи данных по сравнению с традиционными методами упаковки, такими как Package-on-Package (PoP). Эта инновация также обеспечит более высокую плотность ввода-вывода на той же площади, что делает ее особенно подходящей для приложений, требующих высокой пропускной способности и низкого энергопотребления, таких как системы искусственного интеллекта и мобильные процессоры. В числе ведущих компаний, работающих в этой области, можно отметить Apple и Qualcomm.

Разработка 3D-DRAM соответствует стратегическому плану SK hynix, озвученному на технологическом симпозиуме TSMC в этом году. Хён Ан, президент и директор по развитию компании, отметил, что для дальнейшего прогресса в области ИИ-оборудования необходимо преодолеть существующие ограничения технологий памяти и создать новые архитектуры. SK hynix, в сотрудничестве с TSMC, планирует внедрить передовые логические процессы в кристаллы HBM4 и развивать интеграцию памяти с логикой для повышения производительности.

Параллельно с SK hynix, компания Samsung также проводит исследования в области 3D DRAM нового поколения. Недавно они опубликовали совместную статью с исследовательскими организациями imec, KU Leuven и Lam Research, посвященную архитектуре монолитной 3D DRAM с использованием полупроводниковых оксидов. Однако пока не сообщается о планах коммерциализации данной технологии.