Ожидается более чем двукратный рост цен на HBM в 2027 году
Аналитики предсказывают значительное увеличение цен на память HBM в следующем году из-за дефицита и перехода на более дорогие модели. Средняя цена может вырасти на 121%.
По прогнозам TrendForce, в 2027 году средняя стоимость микросхем памяти типа HBM увеличится на 121% по сравнению с текущим годом. Это связано с высоким спросом на данную память в сегменте искусственного интеллекта, где она активно используется ускорителями.
Эксперты отметили, что несколько факторов способствуют этому росту. Во-первых, на рынке наблюдается дефицит HBM. Во-вторых, ожидается увеличение доли более дорогих чипов HBM4, что также повлияет на средние цены. С началом второй половины 2027 года начнётся выпуск более современных HBM4E, что приведёт к дальнейшему росту цен.
Для примера, 12-ярусная микросхема HBM4 объёмом 36 Гбайт, которая стоит около $600 в этом году, в следующем может подорожать до $1300. Переход с HBM3E на HBM4 должен повысить доходность поставок, хотя ситуация на рынке будет варьироваться в зависимости от условий контрактов между покупателями и производителями.
Micron Technology сообщила о полном распределении своих квот на поставки HBM на 2027 год, при этом цены будут значительно выше, чем в текущем году. Это позволит компании увеличить доходность производства HBM, которая в условиях высокого спроса на DRAM стала отставать от классической DDR. На рынке HBM действуют три основных игрока: Micron Technology, SK hynix и Samsung Electronics. Распределение квот Micron открывает возможности для других компаний манипулировать ценами в своих интересах.
По данным Counterpoint Research, Samsung значительно увеличила свою долю на рынке HBM, которая возросла с 21% до 33% во втором квартале в стоимостном выражении. В то же время SK hynix снизила свою долю с 58% до 50%, а Micron — с 21% до 18%. Samsung начинает поставки HBM4 и образцов 12-ярусных чипов HBM4E, что создаёт дополнительную конкурентоспособность на рынке.
Тем не менее, производство HBM сталкивается с проблемами из-за высокой потребности в кремниевых пластинах, поскольку в стеке используется от 12 до 16 кристаллов. По оценкам Samsung, в этом году HBM занимала до 20% мировых мощностей по производству DRAM, а в следующем эта доля может увеличиться до 30%. Оба лидера рынка, SK hynix и Samsung, должны балансировать между спросом на HBM и серверную DDR в условиях ограниченных производственных мощностей.
По материалам: 3dnews.ru
