Nanya из Тайваня инвестирует $10,7 млрд в современное производство DRAM с EUV

Тайваньский производитель полупроводников Nanya одобрил инвестицию в размере 346,6 млрд тайваньских долларов, что соответствует приблизительно $10,7 млрд, для завершения строительства нового завода Fab 5A. Это предприятие, находящееся на стадии строительства, должно начать производство DRAM с использованием EUV-литографии во второй половине 2027 года.

На новом заводе планируется выпускать память 10-нм класса, включая чипы поколений 1C, 1D и 1E. В настоящее время пилотное производство чипов 1C уже запущено, тогда как более новые поколения 1D и 1E находятся в разработке. Поэтапное наращивание производственных мощностей запланировано на 2028 и 2029 годы: сначала до 30 тысяч пластин в месяц, а затем до 35,9 тысяч.

Общий объём капитальных затрат на проект Fab 5A оценивается примерно в $16 млрд. Внедрение EUV-литографии в рамках 10-нм класса позволит компании значительно увеличить выпуск более современных чипов, избегая дублирования уже освоенных производств. В то же время Nanya планирует завершить квалификацию чипов LPDDR5 у своих клиентов до конца текущего года.

Несмотря на то что доля Nanya на мировом рынке DRAM составляет около 1,6 %, компания увеличила свои финансовые показатели в последние кварталы благодаря росту цен на DDR3 и DDR4. По данным TrendForce, всего 10 % выручки Nanya приходится на DDR5, поэтому запуск нового завода Fab 5A должен значительно расширить её возможности в этом сегменте. Также стоит отметить, что другой тайваньский производитель памяти Winbond ранее объявил о намерении удвоить общий объём производства DRAM.