Китай создал важный элемент для EUV-литографии с помощью бывшего инженера ASML

Китайские исследователи создали новый источник лазерного излучения в сверхжёстком ультрафиолетовом диапазоне (EUV), что является важным шагом для развития местной полупроводниковой промышленности. Проект стал возможен благодаря помощи Линя Наня, бывшего инженера компании ASML, которая является ведущим производителем литографического оборудования.

Этот источник позволит китайским производителям в будущем разрабатывать литографические сканеры, способные изготавливать чипы с технологическими нормами менее 7 нм. До настоящего времени такие системы были доступны только компаниям из США, Южной Кореи и Японии, а поставки в Китай были запрещены с 2019 года по инициативе властей Нидерландов и США.

Ранее китайские разработчики добились создания источника EUV с эффективностью всего 3,42%, что делает его непригодным для массового производства, так как мощность данного источника колебалась между 100 и 150 Вт. Для сравнения, современные EUV-системы имеют мощность около 600 Вт, а ASML планирует увеличить этот показатель до 1000 Вт, что позволит производить больше чипов за единицу времени.

Однако одного источника недостаточно для создания полноценной EUV-системы, необходимы также сложные зеркала, прецизионные приводы и соответствующее программное обеспечение. Прототипы китайских EUV-сканеров пока не обладают необходимым качеством оптики, и, по оценкам, полноценный сканер может быть готов не ранее 2028 или 2030 года.