CXMT начинает тестовое производство высокоскоростной памяти HBM3E

Китайский производитель микросхем памяти CXMT приступил к пробному производству высокоскоростной памяти HBM3E. В настоящее время несколько компаний, включая T-Head, дочернюю организацию Alibaba Group, и Cambricon Technologies, уже проводят испытания этой памяти с использованием своих процессоров. CXMT намерена увеличить объемы производства в 2027 году.

Хотя китайские производители памяти отстают от южнокорейских конкурентов, которые переходят на производство HBM4E, запуск HBM3E является значимым шагом для CXMT. К концу 2026 года компания планирует достичь производственной мощности около 350 000 пластин DRAM в месяц, а в будущем эта мощность будет увеличена.

На данный момент HBM3E производится в малых объемах, что говорит о начале тестирования. Аналитики ожидают, что CXMT быстро перейдет от тестовых партий к массовому производству. Компания демонстрирует высокую скорость в строительстве чистых помещений, завершив строительство за 12 месяцев, в то время как обычно на это требуется до двух лет.

Технические характеристики памяти HBM3E не были раскрыты, однако стандарт JEDEC предполагает ширину в 1024 бита и скорость от 9,2 Гбит/с до 12,4 Гбит/с на контакт. Пропускная способность составляет 1,2 Тбайт/с, а ёмкость колеблется от 24 Гбайт для 8-слойных стеков до 36 Гбайт для 12-слойных.

CXMT управляет несколькими предприятиями, включая два завода по производству 12-дюймовых пластин в Хэфэе и Пекине, каждый из которых может производить около 100 000 пластин в месяц. В настоящее время общая производственная мощность достигает 200 000 пластин в месяц, но после полного ввода в эксплуатацию новых заводов в Шанхае и Хэфэе планируется утроить эту цифру до 600 000 пластин.