Выход годной продукции HBM3E от CXMT в Китае составляет лишь 25%

Компания CXMT, являющаяся крупнейшим производителем оперативной памяти в Китае, начала пробный выпуск стека памяти HBM3E. Тем не менее, на текущий момент выход годной продукции составляет всего 25%. Для массового производства в полупроводниковой отрасли установлен стандарт в 80%.

Согласно данным, изначально успешные результаты в производстве HBM3E продемонстрировала компания SK hynix, достигнув 90% выхода годных изделий с момента начала массового производства в 2022 году. Эксперты связывают низкий показатель CXMT с трудностями в освоении технологии сквозных вертикальных межсоединений (TSV), необходимых для создания вертикально расположенных слоев DRAM.

При этом на этапе фронтенда, где происходит подготовка компонентов, выход годных изделий HBM3E у CXMT составляет около 30%. Однако только 70% из этих чипов проходят финальное тестирование на этапе бэкенда. Таким образом, из каждой сотни запущенных в производство единиц HBM3E лишь 20 остаются годными.

CXMT уже начала поставки небольших партий образцов HBM3E китайским компаниям, включая T-Head и Cambricon, и продолжает работу над улучшением выхода годной продукции. Основная проблема заключается в том, что кристаллы DRAM для HBM имеют более строгие требования по качеству, чем стандартные чипы.

Одной из серьезных проблем является освоение технологии TSV, которая включает в себя создание микроскопических медных соединений для передачи электрических сигналов. Этот процесс требует высокой точности, и даже небольшие отклонения могут привести к браку. По оценкам экспертов, разрыв между CXMT и ведущими игроками в этой области, такими как Samsung и SK hynix, по количеству соединений TSV на кристалле весьма значителен.