TSMC планирует увеличить производительность ИИ на 5000% с помощью 3D-чипов и кремниевой фотоники

На конференции SEMICON Taiwan 2026 компания TSMC анонсировала новые решения для производства микросхем, направленные на удовлетворение растущего спроса на вычислительные ресурсы в области искусственного интеллекта. В частности, TSMC акцентировала внимание на современных технологиях упаковки и сборки чипов, а также на развитии кремниевой фотоники.

По информации Эйприл Ли, руководителя глобального подразделения по развитию бизнеса в области ИИ и высокопроизводительных вычислений, спрос на вычислительные мощности для ИИ увеличивается в пять раз ежегодно. В ответ на эти запросы TSMC планирует интегрировать передовые технологии, такие как 3D-сборка и кремниевая фотоника, с целью достижения 50-кратного увеличения производительности к 2029 году по сравнению с технологиями 2024 года.

К 2026 году TSMC планирует внедрение 3D-интеграции N2P-on-N3P, а к 2029 году — A14-on-A14 с шагом межсоединений 4,5 мкм. Разработка технологии кремниевой фотоники COUPE позволяет значительно снизить потери при передаче данных и энергопотребление. Применение этой технологии в TSMC обеспечит скорость передачи данных в 112 Гбит/с с минимальными потерями.

В дополнение к этому, TSMC развивает платформу COUPE для интеграции электронных и фотонных схем, что позволит увеличить пропускную способность с 3,2 до более чем 12,8 Тбит/с. Компания также активно решает задачи, связанные с тестированием и проектированием, внедряя оптическое тестирование на уровне пластин для улучшения качества сборки оптоволоконных систем.

Вице-президент TSMC К. С. Сюй отметил, что к 2027 году на кремниевую фотонику будет приходиться более 50% рынка оптических приёмопередатчиков. Ожидается, что производители начнут массовое производство таких компонентов во второй половине 2026 года, что связано с ростом спроса на высокоскоростные каналы связи.