SK hynix увеличивает объем производства DRAM на новом техпроцессе 1c

Компания SK hynix начала переводить свои производственные мощности для оперативной памяти DRAM на передовой техпроцесс 1c. Согласно данным, ссылающимся на южнокорейскую газету Chosun, на первом квартале 2026 года доля производства на 10-нм техпроцессе 1c составила 10%, а ко второму кварталу она увеличилась до 13%.

В третьем квартале 2026 года ожидается, что 24% всей DRAM компании будет произведено по техпроцессу 1c, а к четвертому кварталу этот показатель превысит 34%. Прогнозируется, что к первому кварталу 2027 года около 35% производства будет составлять техпроцесс 1c, а 33% — техпроцесс 1b пятого поколения.

Техпроцессы для производства DRAM отличаются от тех, что используются для логических чипов. SK hynix применяет различные варианты 10-19 нм, добавляя слои EUV-литографии для улучшения характеристик. Текущий техпроцесс 1b базируется на 12-13 нм и включает около четырех слоев EUV, тогда как передовой 1c имеет размер 11-12 нм и использует 5-6 слоев EUV.

SK hynix намерена применять техпроцесс 1c для вывода на рынок памяти HBM4E, LPDDR6 и DDR5, в то время как на более старом 1b производится память DDR5, LPDDR5X, HBM3E и HBM4. По сравнению с другими производителями, такими как Samsung и Micron, SK hynix быстро увеличивает свои мощности на техпроцессе 1c, что позволяет компании оставаться конкурентоспособной в условиях рынка.

В будущем SK hynix будет продолжать развивать новые технологии, так как уменьшение размеров DRAM становится все более сложной задачей. Ожидается переход на транзисторы с вертикальным затвором и 3D-стекирование, что станет основой для следующей эры DRAM, однако техпроцесс 1c будет использоваться компанией еще в течение долгого времени.