Samsung представила новую память zHBM и zNAND-O, а также LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND

Samsung Electronics представила новые типы памяти, включая zHBM и zNAND-O, а также продемонстрировала LPDDR5X-PIM и V10 BV-NAND на мероприятии FMS 2026. zHBM обещает увеличить быстродействие в восемь раз по сравнению с HBM5 и повысить плотность хранения данных более чем в десять раз.

Энергетическая эффективность zHBM будет в три раза выше, чем у HBM5, а тепловое сопротивление сократится более чем в два раза. Это достигается за счет технологии объединения нескольких кремниевых пластин, что позволяет реализовать десятки тысяч каналов передачи информации в одном стеке. zHBM также может интегрироваться с кастомной логикой по запросу клиента и монтироваться непосредственно на графический процессор.

Для сегмента искусственного интеллекта разработана память zNAND-O, основанная на V-NAND, которая минимизирует задержки при передаче данных в вычислительных системах. Samsung впервые представила концепцию Z-NAND в 2025 году и обещала увеличение производительности в 15 раз и сокращение энергопотребления на 80%. zNAND будет дороже обычной TLC NAND, объединяя в одном стеке до восьми слоёв памяти.

На мероприятии также была представлена твердотельная память V10 BV-NAND с более чем 400 слоями, использующая новую технологию межслойных соединений. По сравнению с V9, V10 BV-NAND демонстрирует увеличение плотности хранения данных на 58% и улучшенные скорости чтения и записи. В следующем поколении V11 количество слоёв достигнет 500.

Кроме того, Samsung начала поставлять образцы HBM4E в мае текущего года и первой внедрила массовый выпуск HBM4 с использованием 4-нм кристаллов. Память HBM5 была представлена в виде модели, наряду с LPDDR5X-PIM, что позволяет выполнять часть вычислительных операций без передачи данных в центральный процессор, тем самым увеличивая скорость обработки и снижая энергопотребление.