Samsung планирует производить 2-нм кристаллы для HBM5 для Nvidia без TSMC

Samsung Electronics продолжает развивать свой кампус в Йонъине, Южная Корея, где планируется создание новых производственных мощностей и исследовательского центра. Согласно информации ZDNet, вторая очередь этого кампуса может быть перепрофилирована для серийного производства 2-нм базовых кристаллов, предназначенных для современных стеков памяти HBM5, которые заинтересуют Nvidia.

С переходом на HBM4, базовые кристаллы памяти начинают все больше адаптироваться под требования заказчиков. Если SK hynix будет полагаться на услуги TSMC, то Samsung готова самостоятельно выпускать нужные компоненты. Переориентация второй очереди NRD-K в Йонъине предполагает переход от исследовательских задач к серийному производству 2-нм чипов для памяти HBM5, что также подтвердил интерес Samsung к сотрудничеству с Nvidia.

Планируется, что новая производственная линия в Йонъине начнет работу во второй половине 2028 года. Несмотря на ограниченные размеры площадки, некоторые важные этапы техпроцесса будут реализованы. Используя 2-нм технологию и структуру транзисторов GAA, Samsung рассчитывает добиться значительного увеличения производительности HBM5 по сравнению с HBM4E, превышающего 50%.

Тем не менее, решение о перепрофилировании второй фазы NRD-K пока остается предварительным, и в течение следующих двух лет компания может пересмотреть свои планы в соответствии с изменениями на рынке. К 2030 году Samsung планирует запустить три производственные линии в Йонъине, при этом одна из них была завершена в конце 2024 года, а работа над второй началась в текущем году. Общие инвестиции в строительство кампуса составят $14 миллиардов.