Samsung перенесла внедрение High-NA EUV на период 1-нм техпроцессов

Samsung Electronics сообщила о том, что внедрение оборудования с высокой числовой апертурой (High-NA) для EUV-литографии в массовом производстве чипов не состоится раньше 2030 года. К этому времени компания рассчитывает освоить 1-нм технологический процесс, хотя изначально планировалось использовать данное оборудование для производства чипов по 2-нм и 1,4-нм технологиям.

На данный момент Samsung успешно производит чипы на 2-нм техпроцессе, а внедрение 1,4-нм технологии (SF1.4) ожидается в 2029 году. В 2030 году компания планирует начать производство по усовершенствованным техпроцессам SF1.4+ и A10 (1 нм). Для массового внедрения High-NA EUV необходимо также развитие соответствующей оснастки и расходных материалов, чего в настоящее время недостаточно в отрасли.

В настоящее время Samsung располагает двумя литографическими сканерами ASML для работы с High-NA EUV, установленными в Хвасоне, Южная Корея. Внедрение данного оборудования в массовое производство потребует значительных капитальных вложений, что нецелесообразно в условиях, когда компания стремится к безубыточности своего контрактного бизнеса. Тем не менее, технологии травления кремниевых пластин, такие как ALE (Atomic Layer Etching), продолжают развиваться.

В то время как Intel уже начала экспериментировать с High-NA EUV в производстве своих процессоров Panther Lake, TSMC не планирует переходить на это оборудование как минимум до 2029 года. SK hynix, напротив, активно тестирует High-NA EUV в производстве микросхем памяти, стремясь получить конкурентное преимущество на ранних стадиях. По мнению представителей Samsung, использование оборудования с числовой апертурой 0,33 остается приемлемым для чипов до 1,4 нм, а переход на 0,55 станет актуальным только после достижения 1 нм.