Samsung анонсировала новые технологии памяти: HBM5, zHBM и zNAND-O

На отраслевой конференции Semicon Taiwan 2026 компания Samsung Electronics поделилась информацией о своем намерении сосредоточиться на разработке и производстве новых типов скоростной памяти, таких как HBM5, zHBM и zNAND-O.

Чан Сок Цой, корпоративный вице-президент по планированию в области производства памяти, сообщил, что HBM5 сможет удвоить производительность по сравнению с HBM4E, а также увеличить удельную производительность на ватт на 20%. Кроме того, тепловое сопротивление данной памяти снизится на 20%, что обеспечит лучшую термостойкость стеков HBM5 в условиях высоких температур, возникающих в вычислительных ускорителях.

HBM5 будет производиться по 2-нм технологическому процессу, тогда как HBM4 и HBM4E используют 4-нм. Массовое производство HBM5 планируется начать в 2028 году, с возможным увеличением количества ярусов в стеке с 12 до 20 в будущем. Еще более продвинутым типом памяти станет zHBM, который увеличит производительность в восемь раз по сравнению с HBM4E, а также утроит удельную производительность на ватт и значительно снизит тепловое сопротивление на 75–90%. Этот тип памяти будет интегрирован прямо на процессоры и запланирован к выпуску после 2029 года.

В области твердотельной памяти компания также ожидает прогресс. В 2028 году начнется производство образцов микросхем zNAND-O, которые увеличат плотность на бит в десять раз по сравнению с DRAM и в семь раз по сравнению с традиционной NAND в отношении пропускной способности чтения. Это сочетание свойств DRAM и NAND будет активно использоваться в инфраструктуре искусственного интеллекта.

В целом, Samsung нацелена на увеличение ёмкости памяти, улучшение вычислительного КПД, пропускной способности и энергетической эффективности. Для достижения этих целей будут применены трехмерные компоновки микросхем, оптимизация архитектуры и сокращение путей передачи информации.