Micron указывает на ограничения памяти в развитии технологий ИИ

На конференции Hot Chips 2026 компания Micron Technology, занимающая третье место среди производителей DRAM, представила свое видение текущих проблем в сфере искусственного интеллекта, акцентируя внимание на недостатках технологий памяти. По мнению специалистов Micron, развитие систем ИИ все чаще наталкивается на так называемую "стену памяти".

Рагху Срираманнени, архитектор памяти с высокой пропускной способностью в Micron, обозначил несколько ключевых факторов, вызывающих опасения. В частности, рост производства вертикально компонуемой памяти типа HBM3E значительно увеличивает потребление кремниевых пластин, что приводит к дефициту DDR5. Для производства HBM требуется в три раза больше кремния по сравнению с DDR5.

Архитектура HBM4 позволяет работать с 256 банками на одном кристалле, в то время как DDR5 ограничена 32 банками, что также ведет к увеличению расходов на кремний и усугубляет дефицит памяти, поднимая цены. На данный момент стоимость HBM в пять раз превышает цену DDR5, что заставляет производителей отказываться от потребностей клиентов в пользу более прибыльных продуктов. Увеличение цен на память в этом году составило несколько раз, что уже формирует до 35 % стоимости нового ПК и может привести к сокращению рынка ПК более чем на 10 % по оценкам Gartner.

В дополнение к этому, вычислительные мощности ИИ-ускорителей растут быстрее, чем возможности памяти HBM. Если производительность ускорителей увеличивается в три раза за два года, то HBM демонстрирует менее чем двукратный рост за тот же период. Это создает ограничения по пропускной способности памяти, тормозя развитие ИИ. Micron пытается предложить более быструю HBM4, чем предусмотрено стандартами JEDEC, однако этого может оказаться недостаточно для устранения существующего разрыва.

Конкурирующая компания SK hynix также отметила на конференции, что высота стека памяти ограничена 775 микронами до перехода на технологию гибридного сращивания, что произойдет с появлением HBM5. С увеличением плотности компоновки памяти возникают серьезные проблемы с теплоотводом, что подчеркивает Micron. Перегрев базового кристалла, находящегося в нижней части стека, становится угрозой стабильности работы вычислительных систем ИИ.

Аналитики ожидают, что к концу года доходность кремниевых пластин DDR5 превысит доходность HBM3E, что может снизить стимулы для производителей наращивать мощности по производству DDR5. Дефицит DRAM, по мнению участников рынка, сохранится и в следующем году.