Корейский суд обвинил CXMT в краже технологических секретов Samsung для производства DRAM

Согласно решению корейского суда, китайский производитель оперативной памяти ChangXin Memory Technologies (CXMT) не имел намерения разрабатывать технологии DRAM самостоятельно, а намеревался нелегально получить информацию от Samsung. Это утверждение основано на показаниях бывшего инженера Samsung, известного как Чон (Jeon), который работал в компании 28 лет и в 2016 году перешел в CXMT. В апреле 2026 года он был приговорен к семи годам тюремного заключения за незаконное получение информации о технологическом плане, состоящем из 600 шагов, касающемся процессов производства DRAM, включая техпроцесс 18 нм.

Согласно материалам дела, повторение технологического плана не гарантирует создание работоспособного процесса, однако может существенно ускорить его разработку. В документе содержатся данные о последовательности этапов, условиях осаждения, травления, отжиге, очистке, а также параметры имплантации и используемое оборудование. Это может помочь избежать множества проб и ошибок, а также обозначить схему интеграции.

Технологический план не охватывает полную архитектуру транзисторов, но предоставляет информацию о ключевых элементах, таких как поперечные сечения, маски и размеры устройств. Эту информацию можно получить с помощью методов обратного проектирования, что позволяет инженерам восстанавливать значительную часть технологии. Samsung потратила пять лет на разработку своей технологии с нуля.

CXMT начала производство DDR4 в 2019 году с использованием 22 нм техпроцесса, а массовое производство с применением 18 нм стартовало в 2023 году. Судебное разбирательство ставит под сомнение, каким образом компания смогла разработать память G1 класса 22 нм и перейти на более современный техпроцесс 18 нм. Корейский суд пришел к выводу, что CXMT незаконно присвоила интеллектуальную собственность Samsung.