Китайский стартап Yuanji Microelectronics анонсировал технологии hybrid bonding для чипов
Yuanji Microelectronics планирует освоить производство высокоплотных чипов с использованием 2D-транзисторов и технологии hybrid bonding в ближайшие три года. Новый подход позволит достичь плотности в 130 млн транзисторов на квадратный миллиметр без EUV-фотолитографии.
10 августа 2026 года Максим Белоус сообщил о планах китайского стартапа Yuanji Microelectronics, который намерен в течение трех лет разработать чипы с плотностью транзисторов, соответствующей 5-нм технологии. Эта плотность составляет не менее 130 миллионов транзисторов на квадратный миллиметр, что предполагает использование инновационной технологии без EUV-фотолитографии, которая в Китае еще не готова к серийному производству.
Стартап уже начал экспериментальную работу с 2D-транзисторами, которые представляют собой структуры толщиной в один атом. В Yuanji Microelectronics создали прототипы вычислительных схем на 2D-транзисторах с разрешением от 500 нм до 1 мкм, достигнув 99,99% выхода годных контуров. На вторую половину 2026 года запланирована масштабируемость техпроцесса до 90 нм и подготовка к мелкосерийному производству.
Кроме того, у стартапа имеется опыт создания 32-разрядного RISC-процессора Wuji на 2D-транзисторах. Использование технологии hybrid bonding, которая соединяет чиплеты без промежуточных контактных элементов, позволяет добиться высокой плотности соединений. Это особенно актуально в условиях замедления миниатюризации полупроводниковых технологий.
Hybrid bonding обеспечивает значительно более высокую плотность соединений по сравнению с традиционными методами. При использовании данной технологии достигается плотность более 10 тысяч контактов на квадратный миллиметр, что позволяет минимизировать задержки при передаче данных, что критично для приложений искусственного интеллекта.
Процесс hybrid bonding включает в себя точное позиционирование чиплетов и использование слабых сил Ван-дер-Ваальса для их соединения. Далее следует нагрев для обеспечения плотного контакта между медными структурами, что позволяет формировать прочные электрические соединения. Однако, несмотря на перспективность, процесс внедрения технологии сталкивается с рядом технических вызовов, включая необходимость повышения скорости и эффективности выравнивания поверхностей чиплетов.
По материалам: 3dnews.ru
