Китайские учёные разработали память, способную на 10 миллиардов перезаписей

Группа учёных из Китая представила инновационную структуру памяти, которая может выдержать до 10 миллиардов перезаписей. Это достижение значительно превышает предшествующий предел в 100 миллионов циклов, что делает материал перспективным для применения в современных системах искусственного интеллекта.

Исследования в данной области часто ориентируются на сегнетоэлектрики с вюрцитной кристаллической структурой, такие как нитрид алюминия со скандием (AlScN). Эти материалы сочетают в себе низкое энергопотребление и высокую скорость переключения, что особенно важно для будущих накопителей. Однако ранее AlScN чипы демонстрировали недостаточную надёжность, выходя из строя после 100 миллионов циклов.

Китайские исследователи выяснили, что основная причина ограниченного ресурса кроется в дефектах кристаллической решётки, вызванных недостатком атомов азота. Эти дефекты приводят к перемещению атомов во время переключения, что создаёт проводящие каналы, способствующие утечке тока. Команда учёных разработала новый материал, который препятствует миграции и скоплению вакансий азота, замедляя тем самым деградацию.

Если дальнейшие испытания окажутся успешными и технологию удастся масштабировать для массового производства, память на основе AlScN может занять важное место в серверных системах будущего, включая приложения в области искусственного интеллекта.