CXMT: план по созданию DRAM включал тайные технологии Samsung и переманивание кадров

Компания CXMT, основанная в 2016 году, разработала масштабный «Проект Хэфей», целью которого было создание технологий для производства DRAM. Согласно данным южнокорейской прокуратуры, данный план подразумевал получение ключевых технологических данных от Samsung и переманивание её инженеров.

«Проект Хэфей» был составлен в августе 2016 года руководителем отдела разработки CXMT, ранее работавшим в Samsung, и его целью было создать новые технологии производства DRAM. К сентябрю 2016 года компания намеревалась получить основные сведения о технологическом процессе, известном как Process Recipe Plan (PRP), а к октябрю уже планировала привлечь инженеров из Samsung. В дальнейшем, к июлю 2017 года, CXMT планировала завершить подготовку технологии и начать массовое производство в августе 2018 года.

Процесс PRP включает около 620 этапов производства DRAM, а Samsung потратила значительные ресурсы на его разработку, включая более 1,6 трлн вон и участие свыше 1100 специалистов. В августе 2016 года CXMT пыталась самостоятельно создать свой PRP на основе воспоминаний нанятых инженеров из Samsung, однако этого оказалось недостаточно для воспроизведения всех необходимых этапов. Тем не менее, в сентябре того же года прокуратура утверждает, что CXMT получила доступ к частям PRP Samsung, включая информацию о поставщиках оборудования.

В 2019 году CXMT начала производство 8-Гбит чипов DDR4, что совпало с ростом спроса на память из-за бумов в области искусственного интеллекта. К середине 2026 года доля CXMT на мировом рынке DRAM возросла с 4% до 10%. К этому времени компания планирует увеличить свои производственные мощности до 350 000 пластин в месяц и продолжает расширять свои операции, включая строительство нового завода в Пекине.

По данным прокуратуры, ущерб Samsung от утечки технологий может составлять десятки триллионов вон. В данный момент расследование продолжается, и дело рассматривается Центральным районным судом Сеула.